تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : رسالة جامعية 
عنوان الوثيقة :
دراسة أثر التشعيع على الخصائص التركيبية و الكهربية للوصلات الثنائية من الأغشية الرقيقة لسيلينيد البزموث والسيليكون (Bi2Se3 – Si)
Study of the Effect of Irradiation on Structural and Electrical Properties of (Bi2Se3 – Si) (Bismuth Selenide - Silicon Junction Thin Films)
 
الموضوع : الهندسة الالكترونية 
لغة الوثيقة : العربية 
المستخلص : تهتم هذه الدراسة بالخصائص التركيبية والكهربية للأغشية الرقيقة من مركب Bi2Se3 وبسمك مختلف يتراوح من 227 - 85 نانومتر، والتي تم تحضيرها بتقنية التبخير الحراري في جو مـفرغ 10-5 تور. بإستخدام مبخر من الموليبيدنيوم على حوامل مستوية ونظيفة من الزجاج لدراسة البنية التركيبية البلورية، وكذلك لدراسة الخصائص الكهربية الانتقالية، وتم تحضير الأغشية الرقيقة على الحاملات عند درجة حرارة الغرفة وبمعدل ترسيب ثابت 2.5 نانومتر/ ثانية، وعلى رقائق من السيليكون الموجب p-Si والسالب n-Si لدراسة بارامترت الوصلة في حالة الإظلام والإضاءة. تمت دراسة الخصائص التركيبية لمركب سيلينيد البزموث Bi2Se في حالتيه كمسحوق وكأغشية رقيقة بإستخدام التحليل لهدب الحيود بالإشعة السينية، حيث أظهرت نتائج الحيود بالإشعة السينية عن المسحوق أنه يتبلور في النظام السداسي ونثوابت بلورية: a = 4.143 Å , c = 28.620 Å وكذلك أظهرت أن الأغشية الرقيقة من Bi2Se3 بعد تلدينها لها طبيعة بلورية متعددة التبلور أيضاً وتزداد درجة التبلور بازدياد التلدين. وتم كذلك تشعيع الأغشية الرقيقة بأشعة جاما بجرعات مختلفة 50,200,500 كيلو جراي، ثم فحصت بحيود الأشعة السينية وأظهرت النتائج أن الأغشية الرقيقة من Bi2Se3 بعد تعريضها لأشعة جاما لها طبيعة بلورية متعددة التبلور أيضاً ، ويزداد التبلور بازدياد جرعة التشعيع، بمعنى أن أثر التشعيع مشابه لأثر التلدين، وبدون حدوث تلفيات للأغشية الرقيقة بدليل محافظة الأغشية على نفس المستويات المحددة بالتلدين. وكما تم دراسة الخصائص الكهربية الانتقالية، مثل المقاومة النوعية الكهربية للأغشية الرقيقة من هذا المركب Bi2Se3 والمرسبة على حوامل زجاجية، وتم اختيار الألومنيوم كوصلة أومية لهذه الأغشية الرقيقة. وقد وجد أن التمثيل البياني للعلاقة log ρ كدالة في 1000/T يوضح وجود جزئين مستقيمين يدلان على وجود طاقتي تنشيط حراري هما ΔE1، ΔE2 حيث ترجع ΔE1 إلى التوصيل الذاتي و ΔE2 ترجع إلى التوصيل بالشوائب. كما تم دراسة الخصائص المميزة (تيار- جهد) للوصلات المتغايرة (n- Bi2Se3 / n-Si) و (n-Bi2Se3 / p-Si) ومن هذه الدراسة تم تعيين بارامترات للوصلة: 1) عامل التقويم RR. 2) معامل الجودة للوصلة n`. 3) ارتفاع حاجز الجهد φb. 4) مقاومة التسلسل Rs و مقاومة التجزية Rsh . 5) تيار التشبع العكسي Is • وكذلك تم تعريض الوصلات الثنائية الغير متجانسة لأشعة جاما بجرعة 10 و 50 كيلوجراي وتم دراسة أثر التشعيع على الوصلات الثنائية من خلال دراسة الخصائص المميزة لها (تيار-الجهد) قبل وبعد التشعيع في حالة الإظلام والإضاءة ، ووجدنا زيادة في قيم التيار لجميع الوصلات بعد تعريضها للتشعيع عنها قبل تعريض الوصلات للتشعيع، وتم تحسين سلوك الوصلات خاصةً من النوع (n-n) بعد التشعيع بجرعة 50kgy لتسلك سلوك شبه موصل بالرغم من أنها قبل التشعيع كانت تسلك سلوكاً أومياً خطياً و نلاحظ أن منحنيات الإضاءة تكون أعلى من منحنيات الإظلام في قيم التيارات بعد التشعيع بالجرعتيتن kgy10 و kgy50 مما يؤهلها لأن تستخدم كديودات إضاءة Light Diods. 
المشرف : فاطمة سالم باهبري 
نوع الرسالة : رسالة ماجستير 
سنة النشر : 1430 هـ
2009 م 
عدد الصفحات : 222 
تاريخ الاضافة على الموقع : Monday, September 9, 2013 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
رباب رياض باهبلريBahabry, Rabab Riyadباحث رئيسيماجستير 

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 35957.pdf pdf 
 35958.pdf pdf 
 35959.pdf pdf 
 35960.pdf pdf 
 35961.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث