تفاصيل الوثيقة نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية  عنوان الوثيقة : Temperature-dependent threshold current in inp quantum-dot lasers Temperature-dependent threshold current in inp quantum-dot lasers   الموضوع : فيزياء  لغة الوثيقة : الانجليزية  المستخلص : We explore the origins of the threshold current temperature dependence in InP quantum-dot (QD) lasers. While the internal optical mode loss does not change with temperature, the peak gain required to overcome the losses becomes more difficult to achieve at elevated temperature due to the thermal spreading of carriers among the available states. In 2-mm-long lasers with uncoated facets, this effect is responsible for 66 of the difference in threshold current density between 300 and 360 K. Spontaneous recombination current only makes up at most 10 of the total recombination current density over this temperature range, but the temperature dependence of the spontaneous recombination in the QD and quantum-well capping layers can be used, assuming only a simple proportional nonradiative recombination process, to explain the temperature dependence of the threshold current density.  ردمد : 1077-260X  اسم الدورية : IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics  المجلد : 17  العدد : 5  سنة النشر : 1432 هـ 2011 م  نوع المقالة : مقالة علمية  تاريخ الاضافة على الموقع : Sunday, June 10, 2012  الباحثون اسم الباحث (عربي) اسم الباحث (انجليزي) نوع الباحث المرتبة العلمية البريد الالكتروني P M Smowton Smowton, P M باحث دكتوراه smowtonpm@cf.ac.uk S N Elliott Elliott, S N باحث دكتوراه elliottS1@cf.ac.uk S Shutts Shutts, S باحث دكتوراه   محمد سعد الغامدي Al-Ghamdi, Mohammed Saad باحث دكتوراه msalghamdi@kau.edu.sa A B Krysa Krysa, A B باحث دكتوراه a.krysa@sheffield.ac.uk الملفات اسم الملف النوع الوصف  33564.pdf pdf Abstract الرجوع إلى صفحة الأبحاث