تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
Negative-differential-resistance effects in TlInTe2 ternary semiconductor
Negative-differential-resistance effects in TlInTe2 ternary semiconductor
 
الموضوع : فيزياء 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : Thallium indium ditelluride single crystals, were prepared by a special high efficiency, low cost, design, constructed locally, based on Bridgman technique. A special prespex sample holder and quartz cryostat were used to investigate the switching phenomena in TlInTe2 single crystal. Current-controlled negative resistance (CCNR) has been observed for the first time. The switching effect observed in such crystal shows memory. The current-voltage (i - v) characteristics of the compound show two different regions: an ohmic region at low-current densities and a negative-differential-resistance (NDR) region at higher current densities. This behavior has been explained by an electrothermal model. The results strongly indicate that the phenomenon in our sample is very sensitive to temperature, light intensity and sample thickness as well. Switching parameters (ith, vth, ih, vh, Pth and ROFF/RON) are found to depend on the surrounding conditions as well as the sample thickness. © 2009 Elsevier B.V. All rights reserved. 
ردمد : 0925-8388 
اسم الدورية : Journal of Alloys and Compounds 
المجلد : 484 
العدد : 1-2 
سنة النشر : 2009 هـ
2009 م 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Monday, October 12, 2009 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
أحمد عبدالله الغامديAL-GHAMDI, A AباحثدكتوراهAGAMDI@kau.edu.sa
فرج سعيد الحازميAL-HAZMI, F SباحثدكتوراهFalhazmi@kau.edu.sa

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 25006.pdf pdfAbstract

الرجوع إلى صفحة الأبحاث