الانتقال الى المحتوى الأساسي

هاله عبدالعزيز عباس الجوهرى

تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
رقم قياسي لحركية ترانستور أغشية SnO الرقيقة الشفافة من النوع الموجب
Record Mobility in Transparent p‑Type Tin Monoxide Films and Devices by Phase Engineering
 
الموضوع : المواد النانونية 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : هنا نحن نقرر تصنيع ترانزستورات(TFT) من أغشية SnO نانونية (15 نانومتر) شفافة تماما نوع- P عند درجات حرارة منخفضة تصل إلى C 180 مع أداء وظيفي قياسي. على وجه التحديد، من خلال التحكم بعناية في شروط التحضير، أستطعنا ترسيب أغشية SnO الرقيقة بقيمة cm2/V. s18.71 لحركية هول و من ثم تصنيع عينات TFT بقيم حركية مجال تصل إلى cm2/V. s 6.75 و cm2/V. s 5.87 على قاعدة شفافة صلبة وشفافة مرنة، على التوالي. هذه القيم من الحركية هي الأعلى التي سجلت حتى تاريخه لأي أكسيد نوع- P معالج في هذه الدرجة المنخفضة من الحرارة. وقد أوضحنا أن هذه الحركية العالية تم تحقيقهاعن طريق الهندسة الدقيقة لطور التصنيع. على وجه التحديد، وجدنا أن طور SnO النقي ليس بالضرورة أعلى حركية، بدلا من ذلك، وجدنا أن الطور الذي يحتوي على نسبة من ذرات القصدير ترتفع نسبة حركيته. لقد قمنا بتشيد خريطة مفصلة لمرحلة الاستقرار في عملية الترسيب البخاري لمادة SnO النانونية هي الخريطة الأولى من نوعها لهذا النوع الموجب من الأكسيد. 
ردمد : 101021 
اسم الدورية : ACS Nano 
المجلد : 7 
العدد : 6 
سنة النشر : 1434 هـ
2013 م
 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Friday, September 6, 2013 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
هيسيس ألفونسو كارافيوCaraveo, Jesus Alfonsoباحث رئيسيدكتوراهalfonso.Caraveo@kaust.edu.sa
براديبتا ك نياكNayak, Pradipta K.باحث مشاركدكتوراهpardipta.nayak@kaust.edu.sa

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 35949.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث